Samsung, 3nm Çip Üretimine Başladı

anlatamadım

New member
Teknolojik aygıtların en temel yapıtaşı olan çiplerin ortasında bulunan milyonlarca transistörün birbirine olan uzaklığı ve bu transistörlerin sayısı, çipin performansını direkt etkiliyor. ötürüsıyla teknoloji dünyası da çipteki transistörler içindeki arayı azaltmaya ve transistörlerin sayısını artırmaya devam ediyor.

Günümüzde transistörler içindeki aralık artık yalnızca 3 nanometreye (nm) kadar düşmeye başlamışken bugün Samsung’dan kıymetli bir açıklama geldi. Samsung’un yarı iletken üretim departmanı Foundry, yeni duyurusunda Güney Kore’deki Hwaseong fabrikasında 3 nm yarı iletken çiplerin üretilmeye başladığını deklare etti.

%23 daha âlâ performans sunulacak:


Samsung, yeni 3 nm çiplerinde değerli bir değişikliğe de imza attı. Daha evvel transistör mimarisi olarak FinFET’i kullanan şirket, artık GAA (Gate All Around) mimarisini benimseyeceğini paylaştı. Şirket, mimarideki bu değişimle güç verimliliğinin de artacağını bildirdi.

Samsung’un açıklamasında bakılırsa yeni 3 nm çipler, bundan evvelki jenerasyon olan 5 nm çiplere nazaran %23 daha âlâ performans ve %45 daha az güç tüketimi sunacak. tıpkı vakitte şirket, ikinci jenerasyon 3 nm çiplerinde de %50 güç verimliliği ve %30 daha uygun performans sunacağını paylaştı. Samsung, yeni üretim sürecini Siemens ve Cadence üzere tüm müşterilerine sunacak.

Samsung, 3 nm üretim sürecini hayata geçiren birinci çip üreticisi oldu.

Bu ortada akıllı telefondan beyaz eşyaya tüm Samsung mamüllerini incelemek ya da satın almak için buraya tıklayabilirsiniz.
 
Üst